HNVH4L015N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有120A的電流處理能力（ID/A），并能夠承受高達(dá)650V的漏源電壓（VDSS/V）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為15毫歐，有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損失。該MOSFET設(shè)計(jì)支持最高15V的柵源電壓（VGS/V），適用于需要快速開關(guān)和高效率的應(yīng)用領(lǐng)域，例如高性能的電源供應(yīng)單元或者復(fù)雜的電力調(diào)節(jié)模塊等場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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