HSCTWA60N120G24_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:78A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有78A的連續電流ID，適用于要求嚴苛的高功率密度設計。其最大漏源電壓VDSS為1200V，確保了在高壓環境下的可靠運行。導通狀態下，其低至40毫歐的RDSON有效降低了電力損耗。柵源電壓VGS的絕對值可達18V，為驅動電路提供了靈活性。此MOSFET適合應用于需要高效能量轉換的場合，例如高頻開關電源、不間斷電源系統以及太陽能逆變解決方案中，能夠優化整體效率并增強系統的穩定性。
