AP10TN010CMT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:75A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備75A的最大連續(xù)漏極電流和100V的漏源擊穿電壓，確保了其在高功率應用中的穩(wěn)定性能。該器件擁有7.3mΩ的導通電阻，有效降低了能量損耗，提升了效率。其柵極閾值電壓為20V，保證了良好的開關特性，適用于需要精確控制電流的應用場景。此MOSFET適用于電源管理、電池充電以及各種需要高效能、低功耗的電子設備中。
