AP6NA8R0CST_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有80A的連續(xù)漏極電流容量和60V的最大漏源電壓承受能力，適用于各種需要高效電流控制的電路。其導(dǎo)通電阻低至5.3mΩ，在20V的工作電壓下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能，有助于減少能量損失，提高電路效率。該MOSFET適用于電源管理、信號處理等應(yīng)用場景，能夠提供快速開關(guān)速度與穩(wěn)定的性能表現(xiàn)，是構(gòu)建高性能電子產(chǎn)品不可或缺的關(guān)鍵組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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