AP03N70H_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:2400mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有4A的最大漏極電流ID和650V的擊穿電壓VDSS，能夠承受較高的電壓波動(dòng)。其導(dǎo)通電阻RDON為2400mΩ，在VGS=30V時(shí)表現(xiàn)出色，適用于需要高耐壓和低功耗特性的電路設(shè)計(jì)。該MOSFET適用于各種精密電子設(shè)備中的信號(hào)切換與處理，能夠在復(fù)雜的工作環(huán)境中保持穩(wěn)定的性能輸出，同時(shí)減少能量損失，提高系統(tǒng)整體效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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