STD20P3H6AG_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:36mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計(jì)用于要求高性能和可靠性的應(yīng)用。它支持最大漏極電流ID為20A，擁有30V的擊穿電壓VDSS，以及在VGS=20V時(shí)僅為36mΩ的導(dǎo)通電阻RDON。這些特性使得該MOSFET特別適合于需要快速開關(guān)響應(yīng)和低損耗的電路設(shè)計(jì)。無論是電源管理還是信號處理，這款MOSFET都能提供卓越的效率和穩(wěn)定性，確保在各種應(yīng)用場景中實(shí)現(xiàn)精確控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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