AP3NA7R2YT_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道MOSFET場效應管設計精良，具備55A的最大漏極電流ID和30V的最大漏源電壓VDSS。其導通電阻RDON低至4.7mΩ，確保了在±20V的柵源電壓VGS條件下，能夠提供卓越的導電性能。適用于電源轉換、信號處理及各類電子設備中的快速開關應用，有助于提升系統的整體效能，同時降低能量損耗。
