AP3NA7R2MT_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有80A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻僅為4.7mΩ，在20V柵源電壓下表現(xiàn)出色。其低導(dǎo)通電阻特性有助于減少發(fā)熱，提高能效，適用于需要高效轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)操作的應(yīng)用場(chǎng)景。該MOSFET適合用于電源管理、電池充電控制以及各種電子設(shè)備中的信號(hào)調(diào)節(jié)電路。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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