AP3N5R0MT_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）擁有強大的電氣特性，最大漏極電流ID高達90A，最高漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON僅3.5mΩ，確保了在VGS=20V時的高效導通能力。它適用于需要處理大電流和追求低功耗的應用場景，如電源轉(zhuǎn)換、電池充電控制及各類電子裝置中的開關操作。憑借其優(yōu)異的性能，此MOSFET是構(gòu)建高效、穩(wěn)定電子系統(tǒng)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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