FQD13N10LTM_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:12A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有卓越的電氣性能，適用于廣泛的電子項(xiàng)目中。其最大漏極電流ID為12A，最高漏源電壓VDSS達(dá)100V，確保了在高壓環(huán)境下的可靠運(yùn)行。導(dǎo)通電阻RDON僅為95mΩ，有效降低了工作時(shí)的功率損耗。支持的最大柵源電壓VGS為20V，提供了靈活的驅(qū)動(dòng)選項(xiàng)。該MOSFET適用于電源供應(yīng)、逆變器、電池管理系統(tǒng)以及各種開關(guān)電路中，是追求高性能與低功耗設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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