AP6NA8R2H_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備出色的電氣性能，其最大漏極電流ID可達80A，耐壓值VDSS高達60V，導通電阻RDON僅為6mΩ，確保了低損耗和高效能。該器件支持的工作電壓范圍寬廣，柵源電壓VGS可承受至±20V。適用于多種電路設計，如電源管理、信號放大等場合，能夠滿足對開關速度和效率有高要求的應用需求。
