SM3337PSQGC-TRG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:25A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:16mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款P溝道MOSFET場效應管具有25A的最大連續(xù)漏極電流（ID/A）和30V的最大漏源極電壓（VDSS/V），適用于要求較高電流承載能力的電路設計。其低至16毫歐（RDON/mR）的導通電阻，有助于減少發(fā)熱，提高系統(tǒng)效率。該MOSFET支持±20V的柵源極電壓（VGS/V），提供了良好的操作靈活性和穩(wěn)定性。它適合應用于電源管理、信號放大及各類電子設備中的開關控制，是實現(xiàn)高效能與可靠性的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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