DMN61D8LQ-7_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:0.3A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:1000mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)擁有0.3A的連續(xù)漏極電流容量,最大漏源電壓為60V,導(dǎo)通電阻高達(dá)1000mΩ,并能在20V的柵源電壓下穩(wěn)定工作。這些參數(shù)使其非常適合用于需要精確控制和低功耗的應(yīng)用場合,比如消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理、信號切換及小型化設(shè)備的電路保護(hù)。其小巧的尺寸和優(yōu)良的性能,為設(shè)計者提供了靈活的設(shè)計選擇,同時保證了電路的可靠性和效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
