NTTFS4939NTAG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適合需要大電流承載能力的應用場景。其導通電阻（RDON）僅為4毫歐，能夠在高負載條件下保持較低的功耗，提升整體效率。該MOSFET的柵源電壓（VGS）為±20V，提供了靈活的控制選項。適用于電源轉換、開關控制等電子電路，能夠實現(xiàn)快速、穩(wěn)定的響應，滿足高性能電子設備的設計要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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