AP6679BGH_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道MOSFET具備80A的連續(xù)漏極電流能力和30V的最大漏源電壓承受能力，其導(dǎo)通電阻僅為6.5mΩ，在20V柵源電壓下表現(xiàn)出色。該場效應(yīng)管適用于要求高效能和低損耗的電路設(shè)計中，如電源管理、電池保護及開關(guān)控制等應(yīng)用領(lǐng)域。其優(yōu)秀的電氣特性確保了在高電流和高壓條件下穩(wěn)定可靠的工作表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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