PK616BA_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備出色的電氣性能，其最大漏極電流（ID）可達(dá)80A，確保了高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。該器件的漏源極間電壓（VDSS）為30V，適用于多種電路設(shè)計(jì)中，能夠承受較高的電壓波動(dòng)。導(dǎo)通電阻（RDS(on)）低至4.7mΩ，在保證效率的同時(shí)減少了熱能損耗。柵源極電壓（VGS）范圍為±20V，提供了寬泛的操作靈活性。此MOSFET適用于電源管理、信號(hào)處理等電子設(shè)備中的開(kāi)關(guān)或放大功能，能夠有效提升系統(tǒng)的整體性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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