ME2308S-G_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:3A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:72mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備3A的最大連續(xù)漏極電流（ID/A）和60V的最大漏源電壓（VDSS/V）。其導(dǎo)通電阻（RDON/mR）僅為72毫歐，確保了高效率和低發(fā)熱。該MOSFET支持最高20V的柵源電壓（VGS/V），適用于多種電路設(shè)計中，如電源轉(zhuǎn)換、信號切換等場合，能夠滿足精密控制和高效能轉(zhuǎn)換的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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