FKBB3052_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有55A的最大漏極電流（ID）和30V的漏源極間電壓（VDSS），同時具備4.7mΩ的低導(dǎo)通電阻（RDON），在20V柵源極電壓（VGS）條件下表現(xiàn)優(yōu)異。這些特性使其特別適合應(yīng)用于高效率的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池管理系統(tǒng)中，可以顯著減少能量損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。該MOSFET的卓越性能和可靠性，對于需要精準(zhǔn)控制電流和電壓的電子產(chǎn)品來說，是一個理想的選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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