AP10TN135N_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:110mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備5A的最大連續(xù)漏極電流（ID/A）與100V的最大漏源電壓（VDSS/V），確保了其在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性能。該器件擁有110mΩ的導(dǎo)通電阻（RDON/mR），在降低功耗的同時(shí)提高了效率。工作電壓范圍內(nèi)的柵源電壓（VGS/V）為±20V，保證了器件在多種電路配置中的兼容性。適用于電源轉(zhuǎn)換、信號放大及開關(guān)控制等應(yīng)用場景，是高性能電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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