AP85U03GH-HF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有100A的最大連續(xù)漏極電流和30V的漏源擊穿電壓，適合應(yīng)用于需要大電流承載能力的場合。其導(dǎo)通電阻低至3.8mΩ，能夠顯著降低熱損耗，提升整體效率。該器件支持最高20V的柵源電壓，確保了優(yōu)秀的開關(guān)速度和穩(wěn)定性。適用于電源供應(yīng)、電池管理和各種需要高效開關(guān)操作的電子裝置中，是實(shí)現(xiàn)高性能電路設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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