CSD18534Q5A_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:65A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道場效應管（MOSFET），具備65A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于多種中高功率電源管理應用。導通電阻為8mΩ（RDON），可有效降低導通損耗，提升系統(tǒng)效率。柵源電壓（VGS）最大支持20V，確保器件在多種工作條件下穩(wěn)定運行。該MOSFET常用于電源轉換、電池管理、負載開關及高效能電子設備中，提供可靠且高效的功率控制性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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