DMC3025LDV-7_DFN3X3B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:16A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:14mR 參數4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款場效應管(MOSFET)采用NP溝道設計，能夠承載最大16安培的漏極電流(ID)，并支持最高30伏特的漏源電壓(VDSS)。其導通電阻僅為14毫歐姆(RDON)，確保了在工作狀態下的低能耗表現。該MOSFET的柵源電壓(VGS)為20伏特，適用于需要精確控制和高效能轉換的應用場合，如消費電子產品中的電源管理、信號處理以及各種開關電路中，表現出色。
