SUD50N03-06P_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)擁有100A的最大漏極電流(ID)，能夠承受30V的漏源電壓(VDSS)，適用于需要高電流處理能力的應用。其導通電阻僅為3.8mΩ，有效降低了功耗并提升了效率。柵極-源極間最大電壓(VGS)為20V，確保了良好的兼容性和穩定性。此MOSFET適合用于各種要求快速開關速度與低能耗的電子設備中，如電源轉換器、負載控制及信號放大等場景。
