IPD220N06L3GBTMA1_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備50安培的最大漏極電流（ID）和60伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），確保了其在高電流和高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性。導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為15毫歐，有助于減少功率損耗并提高效率。柵源開啟電壓（VGS）為20伏，使得該元件能夠在較寬的電壓范圍內(nèi)可靠操作。此MOSFET適用于需要高效能、低熱生成和緊湊設(shè)計的應(yīng)用中，例如電源管理、電池充電電路以及各種電子設(shè)備中的開關(guān)控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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