STF10N65K3_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:860mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具有10A的連續(xù)漏極電流（ID）和650V的最大漏源電壓（VDSS），適用于需要高電壓耐受能力的應用場景。其導通電阻（RDSON）僅為0.86Ω，在導通狀態(tài)下可有效降低功耗。該MOSFET設計有30V的最大柵源電壓（VGS），確保了在各種工作條件下的可靠性能。此元件適合用于一般電子產(chǎn)品中的電源管理、逆變電路以及便攜式設備的電池保護等領域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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