SQD23N06-31L_T4GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:27mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）具備20A的連續(xù)電流承載能力，最大可承受的漏源電壓（VDSS）為60V。其導通電阻（RDSON）僅為27毫歐，在同類產(chǎn)品中表現(xiàn)出較低的導通損耗特性，有助于提高電路效率并減少熱量產(chǎn)生。工作柵源電壓（VGS）的最大值為20V，確保了可靠的開關性能。此MOSFET適用于要求高效能和低熱耗的應用環(huán)境，如消費電子產(chǎn)品中的電源管理、便攜式設備的電池保護以及通用型開關電源設計中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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