SI1926DL-T1-E3_SOT-363_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.1A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道增強型場效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計有0.1A的連續(xù)排水電流（ID），并能承受高達60V的斷態(tài)電壓（VDSS）。其特征還包括在20V柵源電壓（VGS）下的導(dǎo)通電阻（RDSON）為1300毫歐。該MOSFET適用于低電流需求的應(yīng)用場景，如消費電子產(chǎn)品的電池保護電路、便攜裝置中的負載開關(guān)或信號調(diào)節(jié)等，能夠在小電流環(huán)境下提供可靠的性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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