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TK7A65D(STA4,Q,M)_TO-220F_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-220F 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數(shù)1:電流ID:10A 參數(shù)2:電壓VDSS:650V 參數(shù)3:RDON:860mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具有10A的連續(xù)電流能力(ID),能夠承受高達650V的漏源電壓(VDSS)。其導(dǎo)通電阻(RDSON)為860毫歐,在30V的柵源電壓(VGS)下工作時,可有效控制高電壓條件下的電流流動。該MOSFET適合用于高電壓要求的消費電子產(chǎn)品中,如適配器、充電器以及家用電器的電源管理系統(tǒng),為這些應(yīng)用提供了可靠的開關(guān)性能和電壓保護功能。

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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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