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SI2302ADS-T1_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:2.3A 參數(shù)2:電壓VDSS:20V 參數(shù)3:RDON:48mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道場效應(yīng)管具備2.3A的連續(xù)漏極電流能力,最大漏源電壓為20V,導(dǎo)通電阻僅為48毫歐姆,確保了低功耗和高效率。其柵源電壓范圍可達12V,適用于需要精確控制電流的各種電子電路中。此MOSFET因其良好的熱穩(wěn)定性和快速開關(guān)特性,在消費電子、家用電器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,是實現(xiàn)高效電源管理和信號控制的理想選擇。

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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

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