AOT10N65_TO-220H_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220H 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:860mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）主要參數(shù)如下：最大漏極電流ID為10A，漏源擊穿電壓VDSS高達(dá)650V，導(dǎo)通電阻RDON為860mΩ，柵源電壓VGS為30V。該器件適用于高電壓和中等電流應(yīng)用場(chǎng)景，如開關(guān)電源、變換器及功率因數(shù)校正電路等。較高的漏源電壓使其能在高壓環(huán)境中穩(wěn)定工作，同時(shí)具備良好的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性，適合用于對(duì)可靠性與效率有一定要求的功率電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
