FTK6911_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:2A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:140mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備2安培的最大持續(xù)漏極電流（ID）和60伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），確保了其在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性。導(dǎo)通電阻（RDON）低至140毫歐，在高電流應(yīng)用中可減少發(fā)熱，提升效率。柵源極閾值電壓（VGS）為20伏，支持寬范圍的驅(qū)動(dòng)電壓選擇。該器件適用于各種電源管理電路，如開關(guān)模式電源、電池管理和負(fù)載切換等，能有效控制電流流動(dòng)，實(shí)現(xiàn)節(jié)能與空間利用的優(yōu)化設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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