NTR3C21NZT1G_SOT-23-3L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:6.5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:14mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有6.5A的最大漏極電流（ID），能夠在高達(dá)20V的漏源電壓（VDSS）環(huán)境下穩(wěn)定操作。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為14毫歐，在12V的柵源電壓（VGS）條件下展現(xiàn)出色性能。該MOSFET適用于多種電子設(shè)備中的開(kāi)關(guān)應(yīng)用，例如在個(gè)人電子產(chǎn)品中的電源路徑管理、電池供電裝置內(nèi)的切換開(kāi)關(guān)，以及小型化的DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為高效能的功率級(jí)元件使用，確保了電流傳輸?shù)男逝c系統(tǒng)的可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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