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AOSP21357_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:15A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:5.8mR 參數(shù)4:溝道類型:P 標(biāo)價:歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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這款P溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備15A的連續(xù)漏極電流承載能力,最大漏源電壓VDSS為30V,確保了其在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行。導(dǎo)通電阻RDON低至5.8毫歐,在20V的柵源電壓VGS下,能夠有效減少能量損耗,提高效率。此器件適用于需要高效能、低熱產(chǎn)生和緊湊設(shè)計的電路中,如電源管理、開關(guān)模式電源以及負(fù)載切換等應(yīng)用領(lǐng)域。它同樣適合要求快速開關(guān)特性和最小化功率損失的電子設(shè)備。

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