SQD45P03-12_GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:5.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具有80A的連續漏極電流（ID），能夠在30V的最大漏源電壓（VDSS）下穩定工作。其導通電阻（RDSON）低至5.5毫歐，確保了高電流應用中的能效。該MOSFET支持±25V的柵源電壓（VGS），適用于需要高效能開關特性的場合，例如高性能計算設備的電源管理單元、便攜式充電設備以及其他注重能耗比的設計中作為負載開關或電源路徑控制元件。
