IPD50N06S4L08ATMA2_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有80安培的最大導通電流（ID）和60伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于需要高效能與穩(wěn)定性的電路設計。其導通電阻（RDS(on)）僅為6毫歐，在20伏的柵源電壓（VGS）下，確保了低熱損耗和高效率轉(zhuǎn)換。此元件適合用于電源管理、電池充電解決方案及各類電子設備中的開關應用，能夠在保證性能的同時實現(xiàn)緊湊設計。憑借其優(yōu)越的電氣特性，該MOSFET為工程師提供了靈活的設計選擇，同時保證了系統(tǒng)的可靠運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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