STF6N65K3_TO-220F_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:7A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:1200mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道MOSFET擁有7A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，以及高達(dá)650V的最大漏源電壓（VDSS），適用于高壓應(yīng)用環(huán)境。其導(dǎo)通電阻（RDSON）為1200毫歐，在高壓條件下仍能保持較低的能耗。柵源電壓（VGS）最大支持30V，確保了在多種控制信號(hào)下的可靠工作。此元件特別適用于需要高壓保護(hù)及精確電流控制的場(chǎng)合，如便攜式設(shè)備充電管理、電池保護(hù)電路等，為設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)高壓環(huán)境下穩(wěn)健工作的解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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