AOD538_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數(shù)1:電流ID:150A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:2mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(MOSFET),具備優(yōu)異的導(dǎo)通性能和快速開關(guān)特性。其漏極電流ID可達(dá)150A,漏源電壓VDSS為30V,導(dǎo)通電阻RDON低至2mΩ,柵源電壓VGS最大支持20V。該器件適用于高效電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及直流電機(jī)控制等場景,采用高密度封裝設(shè)計(jì),兼顧散熱效率與空間利用率,可滿足多樣化電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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