DMG4511SK4_TO-252-4L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-4L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:16mR 參數(shù)4：溝道類型:N+P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款NP溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有20A的漏極電流（ID）處理能力，以及30V的最大漏源電壓（VDSS）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）為16毫歐，有助于減少電力損耗，提高效率。該MOSFET適用于最大20V的柵源電壓（VGS），使其能夠在廣泛的電壓范圍內(nèi)可靠工作。這種類型的MOSFET適合用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的開關(guān)和放大應(yīng)用，如適配器、充電器及其他需要高效能電源管理的場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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