FDS8958B_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:6A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:16mR 參數(shù)4：溝道類型:N+P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該款場效應(yīng)管（MOSFET）為NP溝道設(shè)計，具備6A的最大導(dǎo)通電流（ID/A），以及30V的最大漏源電壓（VDSS/V）。其低至16毫歐姆的導(dǎo)通電阻（RDSON/mΩ），有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。該MOSFET支持±20V的柵源電壓（VGS/V），便于實現(xiàn)精確的驅(qū)動控制。適用于各類消費電子產(chǎn)品中，如適配器內(nèi)的開關(guān)應(yīng)用、電池供電設(shè)備的電源路徑管理以及其他需要高性能、低功耗特性的場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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