NTD20N06LT4G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:27mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有20A的連續(xù)電流承載能力（ID），能夠在高達(dá)60V的漏源電壓（VDSS）下工作，確保了其在高功率密度應(yīng)用中的可靠性。此元件擁有低至27毫歐的導(dǎo)通電阻（RDSON），有助于減少能量損耗，提升效率。柵源電壓（VGS）的最大額定值為20V，使得該器件易于驅(qū)動。適用于各種電源管理場合，如電源轉(zhuǎn)換與管理領(lǐng)域，能有效提高系統(tǒng)的整體性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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