IMW120R045M1XKSA1_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)是一款N溝道器件，具有出色的電氣性能。其最大漏極電流ID為55A，能夠承受高達1200V的漏源電壓VDSS，確保了在高壓應(yīng)用中的可靠表現(xiàn)。低至40mΩ的導(dǎo)通電阻RDON有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。此外，這款MOSFET的工作柵源電壓VGS范圍是18V，適用于需要高效能和高穩(wěn)定性的電子設(shè)計場合。它結(jié)合了快速開關(guān)速度與堅固耐用的特點，非常適合于對性能有嚴格要求的領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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