IMW120R014M1HXKSA1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:115A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:16mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有115A的連續(xù)電流承載能力（ID/A），并且能夠承受最高1200V的漏源電壓（VDSS/V）。其導通電阻（RDSON/mΩ）低至16毫歐，有助于降低系統(tǒng)功耗。柵源電壓（VGS/V）為15V，確保了精確的開關(guān)控制。該MOSFET適用于需要高功率密度和高效能轉(zhuǎn)換的應用場合，能夠在高壓環(huán)境下提供穩(wěn)定的電流控制功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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