NVH4L025N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)采用N溝道設(shè)計(jì)，具備出色的電氣性能。其最大漏極電流可達(dá)120A，支持高達(dá)650V的漏源電壓，確保了在高功率場景下的可靠運(yùn)行。導(dǎo)通電阻僅為15mΩ，有效降低能量損耗和發(fā)熱，提高系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-15V至!5V，提供良好的驅(qū)動(dòng)兼容性。該產(chǎn)品適用于需要高效能、低熱阻且能在高壓條件下工作的多種應(yīng)用場景，如高性能電源轉(zhuǎn)換器或要求嚴(yán)格控制功耗的電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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