NTH4L025N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該款N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）擁有120A的連續(xù)漏極電流（ID/A），并且設(shè)計有650V的漏源擊穿電壓（VDSS/V）。其導(dǎo)通電阻（RDSON/mR）低至15毫歐姆，在15V的柵源電壓（VGS/V）下表現(xiàn)出色。憑借其低損耗特性，該MOSFET適用于高功率密度轉(zhuǎn)換應(yīng)用，例如高性能的開關(guān)模式電源、不間斷電源系統(tǒng)等，能夠在高頻開關(guān)應(yīng)用中實現(xiàn)高效能和熱穩(wěn)定性，從而優(yōu)化電力轉(zhuǎn)換效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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