TW083Z65C_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:27A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）是一款基于先進(jìn)材料技術(shù)的高性能開關(guān)元件，適用于高效率電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該N溝道器件的最大 drain-source 持續(xù)電流（ID）可達(dá)27安培，支持650伏特的drain-source擊穿電壓（VDSS），確保在高壓環(huán)境中穩(wěn)定工作。其導(dǎo)通電阻（RDON）低至60毫歐，在降低傳導(dǎo)損耗的同時提高了能量轉(zhuǎn)換效率。器件的工作柵源電壓（VGS）范圍為-8至!9伏特，提供了寬泛的操作靈活性。碳化硅MOSFET憑借其優(yōu)異的電氣特性，非常適合用于緊湊型電源供應(yīng)器、可再生能源系統(tǒng)以及需要高效能和快速響應(yīng)的電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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