HC3M0120090D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:22A 參數2：電壓VDSS:900V 參數3：RDON:120mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）是一款N溝道器件，具有22A的連續電流承載能力（ID），最大漏源電壓（VDSS）可達900V，導通電阻（RDON）僅為120毫歐。這些特性使得它非常適合用于要求高效率與高頻率操作的應用中。其低導通電阻有助于減少導通狀態下的損耗，而高的擊穿電壓則確保了在高壓環境下的穩定性和可靠性。適用于設計需要緊湊型高性能電力轉換解決方案的場合。
