HC3M0021120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:81A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET），型號ID為81A，具備1200伏特的最大漏源電壓（VDSS），能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。其N溝道設計允許電流從漏極流向源極，適用于需要高效能轉換的應用。此MOSFET的導通電阻（RDON）僅為21毫歐姆，在導通狀態(tài)下?lián)p耗低，有助于提高系統(tǒng)效率。適用于要求嚴苛的電源管理領域，如高性能電源轉換器、太陽能逆變器以及其他需要高頻率操作和低熱耗散的設計中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
