HC1M30065D_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:97A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:30mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）為N溝道類型，具備高達(dá)97A的電流處理能力（ID），并能承受最高650V的漏源電壓（VDSS）。其出色的導(dǎo)通電阻（RDON）僅為30毫歐，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠顯著降低能量損耗，提高整體系統(tǒng)的效率。該器件憑借其優(yōu)良的電氣特性，在高頻開(kāi)關(guān)電源、可再生能源系統(tǒng)以及需要高效能電力調(diào)節(jié)的應(yīng)用中展現(xiàn)了良好的適用性，為設(shè)計(jì)者提供了實(shí)現(xiàn)高性能電力轉(zhuǎn)換的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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