IRF530NPBF_TO-220C_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:17A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有穩(wěn)定的電氣特性，其最大漏源電流（ID）為17安培，能夠在高頻率和高速切換的應(yīng)用中保持良好的性能。在10伏特的測試條件下，導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為80毫歐姆，有助于減少能量損耗。器件的最大漏源電壓（VDSS）為100伏特，表明它可以安全地工作在較高的電壓環(huán)境下。柵源電壓（VGS）的最大額定值為20伏特，便于驅(qū)動控制。此MOSFET適用于消費電子設(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載開關(guān)等場合，如個人電子裝置及家用電器的電路保護(hù)與效率提升。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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