4N50_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4A 參數(shù)2：電壓VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:2400mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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【4N50 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)】采用TO-252-2L封裝，具備4A的最大漏極電流和500V的漏源耐壓，低至2.4mΩ的導(dǎo)通電阻確保了高效能表現(xiàn)。該N溝道MOSFET在30V柵源驅(qū)動(dòng)電壓下展現(xiàn)優(yōu)異的開關(guān)速度與穩(wěn)定性，適用于多種電路保護(hù)和電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，是精密電子項(xiàng)目中的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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